影響IGBT安全可靠與否的主要因素
發布時間:2019-08-02 09:52:59來源:
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
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